• 規(guī)格：3UA50 40-1B/1.25-2A
• 品牌：西門子
• 用途：工控

1485A-C2

1492-IFM40D24-3

其間2013年Cree開宣布6英寸SiC單晶產(chǎn)品，其微管密度低于1個/cm2;多家公司研宣布厚度逾越250μm的SiC外延材料樣品，并批量供給中低壓器件用SiC外延材料產(chǎn)品。在SiC器件方面，世界上報道了10kV~15kV/10A~20A的SiCMOSFET、逾越20kV的SiC功率二極管和SiCIGBT芯片樣品。Cree和Rohm公司開發(fā)了SiCMOSFET產(chǎn)品，電壓等級從650V~1700V，單芯片電流逾越50A，并開宣布1200V/300A、1700V/225A的全碳化硅功率模塊產(chǎn)品。GaN是另一種重要的寬禁帶半導體材料。它具有共同的異質(zhì)結結構和二維電子氣，在此基礎上研制的高電子遷移率晶體管(HEMT)是一種平面型器件。

1492-PBC1

1492-PD3141

占有全球每年約50億美元的商場，帶動了高達幾百億美元的電力電子設備商場。在中小功率領域(900V以下)，功率MOSFET是運用廣泛的電力電子器件，也是現(xiàn)在商場容量大、需求增長快的器件，其間以超級結為代表的新結構器件是該器件的重要開展方向。從上世紀90年始，技術搶先國家和世界大型企業(yè)紛亂投入到以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導體器件的研制和工業(yè)化中，對SiC材料、器件、封裝、運用的全工業(yè)鏈進行了重點投入和系統(tǒng)布局，全力搶占該技術與工業(yè)的戰(zhàn)略制高點和世界商場。SiC是現(xiàn)在開展老練的寬禁帶半導體材料，現(xiàn)已形成了全球的材料、器件和運用工業(yè)鏈。SiC材料方面的企業(yè)以Cree、II-VI、DowCorning等為代表。

廈門控匠自動化科技有限公司銷售西門子 3UA50 40-1B/1.25-2A，針對西門子 3UA50 40-1B/1.25-2A客戶提供相關咨詢服務，需要了解西門子 3UA50 40-1B/1.25-2A型號尺寸、重量、價格、安裝、維護等資料請與我們聯(lián)系。

 

相關產(chǎn)品

 

 

公司簡介

 

其它地區(qū) 其它儀器 類似信息：