規(guī)格:WPSZ-63-100-SNH-1074
所屬類型:其它儀器
品牌:HD
也可充分習(xí)氣。另外,有的機種給定分辨率與輸出分辨率不相同。裝設(shè)變頻器時設(shè)備方向是否有約束。變頻器內(nèi)部和反面的結(jié)構(gòu)考慮了冷卻作用的,上下的聯(lián)系對通風(fēng)也是重要的,因而,對于單元型在盤內(nèi)、掛在墻上的都取縱向位,盡或許筆直設(shè)備。不選用軟起動,將電機直接投入到某固定頻率的變頻器時是否能夠?在很低的頻率下是能夠的,但假如給定頻率高則同工頻電源直接起動的條件附近。將流過大的起動電流(6~7倍額定電流),因為變頻器切斷過電流,電機不能起動。電機超越60Hz作業(yè)時應(yīng)留心什么問題?(1)機械和設(shè)備在該速下作業(yè)要充分或許(機械強度、噪聲、振蕩等)。(2)電機進入恒功率輸出規(guī)劃,其輸出轉(zhuǎn)矩要能夠保持作業(yè)(風(fēng)機、泵等軸輸出功率于速度的立方成份額添加。
1440-TB-A 底座
1784-PCIC 模塊
其導(dǎo)通電壓具有正溫度特性,易于并聯(lián)以擴大電流容量,并具有較好的線性輸出特性和較小的驅(qū)動功率。代表性的硅基功率MOSFET器件是筆直導(dǎo)電雙擴散場效應(yīng)晶體管(VDMOS),是低壓規(guī)劃內(nèi)使用廣的電力電子器件,但在高壓使用時其導(dǎo)通電阻隨耐壓急劇上升,給高壓功率MOSFET的使用帶來了很大妨礙。CoolMOS是一種特別的功率場效應(yīng)晶體管,它作為一種超級結(jié)器件,打敗傳統(tǒng)功率MOSFET導(dǎo)通電阻和擊穿電壓的對立,能夠完成器件導(dǎo)通電阻和擊穿電壓的佳化規(guī)劃。一代CoolMOS在額定脈沖電流容量下能兼有極低的通態(tài)電阻和超快的開關(guān)速度,其阻斷電壓能力可掩蓋500~800V的規(guī)劃。絕緣柵雙極型晶體管,是由功率MOSFET和BJT組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式器件。
1784-PCIC 模塊
150-F108NBD 軟啟動器
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